高压器件集成电路的制造方法专利登记公告

专利名称：高压器件集成电路的制造方法

摘要：本发明公开了一种高压器件集成电路的制造方法，该高压器件集成电路包括形成于同一硅衬底上的SONOS储存器、高压MOS器件和低压MOS器件，通过在SONOS储存器制造工艺中嵌入高压MOS器件制造工艺实现，且高压MOS器件的高压栅极氧化层和高压多晶硅栅极的生长和图形定义步骤提前到所有的SONOS储存器和低压MOS器件的制造步骤之前。本发明方法能实现在同一硅衬底上同时形成SONOS储存器、高压MOS器件和低压MOS器件，能避免高压MOS器件的栅极氧化过程对SONOS储存器和低压MOS器件特性的影响，且能提高所述高

专利类型：发明专利

专利号：CN201110009610.4

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：熊涛;罗啸;陈瑜;陈华伦

主权项：一种高压器件集成电路的制造方法，该高压器件集成电路包括形成于同一硅衬底上的SONOS储存器、高压MOS器件和低压MOS器件，所述SONOS储存器的ONO介质层的厚度及所述低压MOS器件的低压栅极氧化层的厚度都小于所述高压MOS器件的高压栅极氧化层的厚度，其特征在于：通过在SONOS储存器制造工艺中嵌入高压MOS器件制造工艺实现，且所述高压MOS器件的高压栅极氧化层和高压多晶硅栅极的生长步骤和图形定义步骤提前到所有的所述SONOS储存器和所述低压MOS器件的制造步骤之前。

专利地区：上海