通过两步侧墙刻蚀法改善PMOS器件性能的方法专利登记公告

专利名称：通过两步侧墙刻蚀法改善PMOS器件性能的方法

摘要：本发明通过两步侧墙刻蚀法改善PMOS器件的性能，通过在PMOS源漏区implant后加一步spacer蚀刻，使NMOS，PMOS在各自的源漏区implant前拥有不同的spacer尺寸，PMOS较大的spacer尺寸有助于改善PMOS的器件性能。而且加的一步spacer蚀刻，使NMOS的spacer尺寸和原工艺一样，在不影响NMOS和后续制程的同时改善PMOS的器件性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110235401.1

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：毛刚;刘格致;黄晓橹;陈玉文

主权项：一种通过两步侧墙刻蚀法改善PMOS器件性能的方法，在一硅基板上形成至少一第一晶体管区域、至少一第二晶体管区域，在第一晶体管区域上形成有第一栅极，在第二晶体管区域上形成有第二栅极，其特征在于，包括以下工艺步骤：在硅基板上淀积一层侧壁层，使侧壁层将第一晶体管区域、第二晶体管区域及第一栅极、第二栅极全部覆盖；刻蚀去除部分侧壁层，仅保留覆盖在第一栅极侧壁及第二栅极侧壁的部分侧壁层作第一栅极侧墙和第二栅极侧墙；在硅基板上旋涂光刻胶，将第一晶体管区域、第二晶体管区域及第一栅极、第二栅极全部覆盖；将进行光刻，去除覆盖在

专利地区：上海