屏蔽栅极MOSFET器件中的多晶硅层间电介质专利登记公告

专利名称：屏蔽栅极MOSFET器件中的多晶硅层间电介质

摘要：本发明提供了一种屏蔽栅极MOSFET器件中的多晶硅层间电介质。在一个总体方面中，装置可以包括设置在沿半导体的外延层内的轴排列的沟槽内的屏蔽电介质以及设置在所述屏蔽电介质内且沿所述轴排列的屏蔽电极。所述装置可以包括第一多晶硅层间电介质和第二多晶硅层间电介质，其中所述第一多晶硅层间电介质具有与垂直于所述轴的面交叉的部分，其中所述面与所述屏蔽电极交叉，所述第二多晶硅层间电介质具有与所述面交叉且设置在所述第一多晶硅层间电介质和所述屏蔽电极之间的部分。所述装置还可以包括具有设置在所述第一多晶硅层间电介质上的部分的栅

专利类型：发明专利

专利号：CN201210072092.5

专利申请（专利权）人：飞兆半导体公司

专利发明（设计）人：迪安·E·普罗布斯特

主权项：一种装置，包括：屏蔽电介质，设置在沿半导体的外延层内的轴排列的沟槽内；屏蔽电极，设置在所述屏蔽电介质内且沿所述轴排列；第一多晶硅层间电介质，所述第一多晶硅层间电介质具有与垂直于所述轴的面交叉的部分，所述面与所述屏蔽电极交叉；第二多晶硅层间电介质，所述第二多晶硅层间电介质具有与所述面交叉且设置在所述第一多晶硅层间电介质与所述屏蔽电极之间的部分；以及栅极电介质，具有设置在所述第一多晶硅层间电介质上的部分。

专利地区：美国