磁隧道结器件、电子系统以及存储系统及其制造方法专利登记公告

专利名称：磁隧道结器件、电子系统以及存储系统及其制造方法

摘要：本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210072710.6

专利申请（专利权）人：三星电子株式会社

专利发明（设计）人：朴正宪;吴世忠;金佑填;朴相奂;李将银;林佑昶

主权项：一种磁隧道结器件，包括：固定磁结构；自由磁结构；以及在所述固定磁结构与所述自由磁结构之间的隧道势垒，所述固定磁结构和所述自由磁结构的至少之一包括：垂直磁化保存层，在所述垂直磁化保存层与所述隧道势垒之间的磁性层，以及在所述垂直磁化保存层和所述磁性层之间的垂直磁化诱导层。

专利地区：韩国