一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法

摘要：本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直拉硅单晶的整根晶体的电阻率控制在1.0～2.0Ω.cm范围内，有效提高N型硅晶体在制备太阳能电池过程中的利用率，从而显著降低太阳能电池的制造成本，操作简单，易于在光伏产业推广应用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210073865.1

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：余学功;肖承全;杨德仁

主权项：一种制备掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶的方法，其特征在于：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。

专利地区：浙江