一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法专利登记公告

专利名称：一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法

摘要：本发明涉及一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法，其特征在于：旋转磁场发生器安装在旋转磁场发生器支架上，并套装在直拉炉（的外距离直拉炉外壁1～25cm处，在直拉法拉晶过程中开启旋转磁场发生器对硅熔体施加旋转磁场,其旋转频率为1～19Hz。本发明的技术特点是可以有效促进硅熔体的对流，抑制高浓度掺杂剂的向下沉积问题，提高直拉重掺硅单晶的径向电阻率均匀性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061381.5

专利申请（专利权）人：天津市环欧半导体材料技术有限公司

专利发明（设计）人：张雪囡;徐强;陈澄;宋都明;王林;邬丽丽;苗向春

主权项：一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法，其特征在于：换包括发生器（1）和支架（2），旋转磁场发生器（1）安装在支架（2）上并套装在直拉炉（3）的外围，磁场发生器（1）内壁距离直拉炉外壁1～25cm，方法步骤为：⑴、将石英坩埚放入石墨坩埚中，多晶硅物料装入石英坩埚内，换好要求的籽晶，关闭炉体，抽真空后加热升温将多晶硅全部熔化，进行掺杂；⑵、掺杂完毕后，开启旋转磁场发生器1对硅熔体施加旋转磁场，旋转频率为1～19Hz，磁场强度为600～1300Gauss，促进硅熔体的对流防止高浓度掺杂剂的向下沉积，使掺

专利地区：天津