一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法专利登记公告

专利名称：一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法

摘要：本发明涉及一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法。本装置是专门用于大投料量生长高寿命大直径N型硅单晶的热场装置。本装置为导流筒，包括导流内筒、隔热层及石墨导流外筒，隔热层置于导流内筒和石墨导流外筒之间，导流内筒的材质为高纯石英。针对热场的变化，工艺参数相应的进行调整，调整坩埚位置，使固液界面距离石墨导流外筒下沿的距离在25-35mm之间；将氩气流量调整在70-90slpm范围内。将炉内压力调整在10-15Torr范围内。采取本发明生长的N型硅单晶整体（含表面）少子寿命≥1000us，从而避免了金

专利类型：发明专利

专利号：CN201210079838.5

专利申请（专利权）人：内蒙古中环光伏材料有限公司

专利发明（设计）人：尚伟泽;高润飞;申霖;谷守伟;梁山;刘宇;王军磊;高树良;沈浩平

主权项：一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置，其特征在于，所述装置为导流筒，包括导流内筒（1）、隔热层（2）及石墨导流外筒（3），隔热层（2）置于导流内筒（1）和石墨导流外筒（3）之间，所述导流内筒（1）的材质为高纯石英。

专利地区：内蒙古