用于AlN晶体生长的图形化衬底专利登记公告

专利名称：用于AlN晶体生长的图形化衬底

摘要：用于AlN晶体生长的图形化衬底，涉及一种用于AlN晶体生长的图形化衬底。解决现有采用籽晶制备大尺寸AlN晶体的方法中，AlN籽晶成本高，SiC籽晶高温易分解影响AlN晶体质量的问题。图形化衬底是在衬底上嵌入均匀排布的图形单元，图形单元的形状为正六棱台，边长为a2的上底面在衬底表面所在的平面上，下底面的边长为a1，图形单元的高度为c1，其中，a1＝n1a，c1＝n1c，a2＝n2a1，a和c为六方AlN晶体的晶胞参数，0＜n1≤15×107，1＜n2≤3。图形化衬底的制备工艺简单。生长出的AlN晶体具有直径

专利类型：发明专利

专利号：CN201210074358.X

专利申请（专利权）人：哈尔滨工业大学

专利发明（设计）人：韩杰才;宋波;赵超亮;张幸红;张化宇;张宇民

主权项：用于AlN晶体生长的图形化衬底，其特征在于用于AlN晶体生长的图形化衬底是在衬底上嵌入均匀排布图形单元，图形单元的形状为正六棱台，边长为a2的上底面在衬底表面所在的平面上，下底面的边长为a1，图形单元的高度为c1，其中，ai＝nia，c1＝n1c，a2＝n2a1，a和c为六方AlN晶体的晶胞参数，0＜n1≤15×107，1＜n2≤3。FDA0000145223750000011.tif

专利地区：黑龙江