一种取向纳米晶ZnTe晶体的制备方法专利登记公告

专利名称：一种取向纳米晶ZnTe晶体的制备方法

摘要：本发明公开一种取向纳米晶ZnTe晶体的制备方法，即以纯度高于99.999%的金属Zn和Te为原料，在真空中合成ZnTe合金料，合金料经过去离子水清洗，用导电银胶粘结在脉冲激光沉积设备载物台上，作为溅射靶材，在室温下以脉冲激光能量密度为2~5J/cm2溅射ZnTe靶材，靶材与衬底距离设置为5cm，溅射衬底为玻璃、蓝宝石或单晶硅等，将溅射后的薄膜在30~400℃下进行原位退火处理后，即得到取向纳米晶ZnTe晶体。所得的取向纳米晶ZnTe晶体，其晶粒尺寸约为20～60nm，且具有<110>和<111>取向。与传

专利类型：发明专利

专利号：CN201210080824.5

专利申请（专利权）人：上海应用技术学院

专利发明（设计）人：王占勇;钟柳明;金敏;徐家跃;申慧;房永征

主权项：一种取向纳米晶ZnTe晶体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）、以纯度高于99.999%的金属Zn和Te为原料，按照原子比1:1的比例配料，采用高能行星式球磨设备对原料进行均匀混合，混料时间为4h，将混合后的原料置于真空为10?3Pa的真空熔炼炉中，熔炼炉加热到1200℃进行熔炼，熔炼完成后再精炼20min后浇铸，即得到ZnTe合金料；（2）、将步骤（1）所得的ZnTe合金料浇铸在内径为20mm的柱状模具中，随炉冷却到室温，形成ZnTe合金棒料；（3）、将步骤（2）所得的ZnTe合金棒料加工成直径2

专利地区：上海