电荷分享型像素结构专利登记公告

专利名称：电荷分享型像素结构

摘要：本发明公开一种电荷分享型像素结构，包括第一子像素与第二子像素，各包括一晶体管，第二子像素另包括一第三晶体管以及一顶栅电极；所述第三晶体管开启时，可使第一子像素的液晶电容通过与其他电容之间的电荷分享而改变原先的灰阶电压；所述顶栅电极根据一偏压信号而改变所述第三晶体管的临界电压，进而调整所述第一子像素的液晶电容的灰阶电压的改变程度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210074454.4

专利申请（专利权）人：深圳市华星光电技术有限公司

专利发明（设计）人：罗时勋;施明宏

主权项：一种电荷分享型像素结构，其特征在于：所述电荷分享型像素结构包括：一第一栅极线，提供一第一扫描信号；一第二栅极线，提供一第二扫描信号；一资料线，提供一资料信号；一第一子像素，包括：一第一晶体管，连接所述第一栅极线及所述资料线，并于接收来自所述第一栅极线的第一扫描信号时开启；及一第一液晶电容，连接所述第一晶体管，并于所述第一晶体管开启时，接收来自所述资料线的资料信号而偏压至一第一灰阶电压；以及一第二子像素，包括：一第二晶体管，连接所述第一栅极线及所述资料线，并于接收来自所述第一栅极线的第一扫描信号时开启；一第

专利地区：广东