氮化物LED外延结构的生长方法专利登记公告

专利名称：氮化物LED外延结构的生长方法

摘要：一种氮化物LED外延结构的生长方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，在MOCVD反应室里将衬底进行热处理后，降温；步骤2：在衬底生长一层氮化物成核层；步骤3：退火，使衬底表面形成成核层的结晶；步骤4：在结晶的氮化物成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在非故意掺杂氮化镓上生长氮化镓应力控制层；步骤6：在氮化镓应力控制层上生长依次生长N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层，得到完整LED外延结构。本发明可以提高发光二极管外延质量，调制外延层中因为晶格失配带来的应力，并有效的改善发光二极管的漏电和抗静

专利类型：发明专利

专利号：CN201210075711.6

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：梁萌;李鸿渐;姚然;李志聪;李盼盼;王兵;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽

主权项：一种氮化物LED外延结构的生长方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，在MOCVD反应室里将衬底进行热处理后，降温；步骤2：在衬底生长一层氮化物成核层；步骤3：退火，使衬底表面形成成核层的结晶；步骤4：在结晶的氮化物成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在非故意掺杂氮化镓上生长氮化镓应力控制层；步骤6：在氮化镓应力控制层上生长依次生长N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层，得到完整LED外延结构。

专利地区：北京