发光二极管表面金属周期性亚波长结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：发光二极管表面金属周期性亚波长结构及其制备方法

摘要：本发明涉及发光二极管表面金属周期性亚波长结构及其制备方法。发光二极管表面金属周期性亚波长结构，在半导体发光二极管的P型GaN层和N型GaN层上裸露的并且未被N电极和P电极覆盖的区域设置一层金属周期性亚波长结构，所述金属周期性亚波长结构从下到上依次包括了隔离层、纳米金属点阵层和保护层，所述隔离层贴附在P型GaN层之上，所述隔离层SiNx增透膜，所述保护层为SiO2或SiNx或ZnO保护膜，所述纳米金属点阵层为金属纳米点阵，所述纳米点的直径为50～100nm，纳米点间距为250～500nm，点阵周期为350～

专利类型：发明专利

专利号：CN201210076282.4

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：林祖伦;宋科田;祁康成;曹贵川

主权项：发光二极管表面金属周期性亚波长结构，其特征在于，在半导体发光二极管的P型GaN层和N型GaN层上裸露的并且未被N电极和P电极覆盖的区域设置一层金属周期性亚波长结构，所述金属周期性亚波长结构从下到上依次包括了隔离层、纳米金属点阵层和保护层，所述隔离层贴附在P型GaN层之上，所述隔离层为厚度为20～30nm的SiNx增透膜，所述保护层为厚度为15～25nm的SiO2或SiNx或ZnO保护膜，所述纳米金属点阵层为金属纳米点阵，所述纳米点的直径为50～100nm，纳米点间距为250～500nm，点阵周期为350～

专利地区：四川