发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构专利登记公告

专利名称：发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构

摘要：一种发光二极管晶粒，包括基板、半导体发光结构、透明导电层及绝缘层，基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区，半导体发光结构包括导电衬底及P型三族氮化物半导体层，半导体发光结构的导电衬底固定于基板的第二导电区上，透明导电层连接基板的第一导电区与P型三族氮化物半导体层，透明导电层与基板的第二导电区电绝缘，该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的除P型三族氮化物半导体层以外的其他部分绝缘。上述发光二极管晶粒的出光一侧不必设置遮光的厚金属电极及焊球，从而提高发光二极管晶粒的出光效率。本发明还公开一种发光二极管晶粒

专利类型：发明专利

专利号：CN201110004141.7

专利申请（专利权）人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司

专利发明（设计）人：黄世晟;凃博闵;林雅雯

主权项：一种发光二极管晶粒，包括半导体发光结构及透明导电层，半导体发光结构为垂直电导通结构，半导体发光结构包括导电衬底及P型三族氮化物半导体层，导电衬底及P型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，其特征在于：还包括基板及绝缘层，基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区，半导体发光结构的导电衬底固定于基板的第二导电区上，透明导电层连接基板的第一导电区与P型三族氮化物半导体层，透明导电层与基板的第二导电区电绝缘，该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的除P型三族氮化物半导体层以外的其他部分绝缘。

专利地区：广东