减小热载流子注入损伤的侧墙刻蚀方法专利登记公告

专利名称：减小热载流子注入损伤的侧墙刻蚀方法

摘要：本发明公开了一种减小热载流子注入损伤的侧墙刻蚀方法，通过采用中性离子对侧墙沉积层进行离子注入，所述离子注入方向与垂直于衬底方向成一夹角且向源极方向倾斜，使得在侧墙刻蚀工艺中对源极区域上方的侧墙刻蚀速率高于漏极区域上方的侧墙刻蚀速率，刻蚀后源极侧墙的截面宽度相对较小，而漏极侧墙的截面宽度相对增大。当栅极加上电压后，在漏端产生的纵向电场强度减弱，因此，由横向电场加速的载流子碰撞产生的电子空穴对，空穴会在较弱的纵向电场作用下向栅极中注入，从而减小了由于热载流子注入而形成的栅极电流，减小了半导体器件热载流子注入的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210081215.1

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种减小热载流子注入损伤的侧墙刻蚀方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述衬底包括源极区域和漏极区域；在所述衬底上形成侧墙沉积层；采用中性离子对所述侧墙沉积层进行离子注入，所述离子注入方向与垂直于所述衬底方向成一夹角且向源极方向倾斜；对所述侧墙沉积层进行刻蚀，以在所述源极区域上方形成源极侧墙，并在所述漏极区域上方形成漏极侧墙，所述源极侧墙的截面宽度小于所述漏极侧墙的截面宽度。

专利地区：上海