提高共源运算放大器频率特性的MOS器件制造方法专利登记公告

专利名称：提高共源运算放大器频率特性的MOS器件制造方法

摘要：本发明提供了一种提高共源运算放大器频率特性的MOS器件制造方法，通过利用中性离子对侧墙层进行离子注入，离子注入方向与垂直于所述衬底方向成一夹角且向源极方向倾斜，在共源极运算放大器的MOS器件的源漏端形成不同形貌的侧墙，使得刻蚀后漏极的侧墙宽度增大，而源极的侧墙宽度减小，在接下来的源漏重掺杂注入和退火工艺后，漏极的掺杂离子与器件沟道距离被拉远，源极的掺杂离子与器件沟道的距离被拉近，在保持器件性能不变的情况下，减小了漏极的寄生交叠电容，从而提高了共源极运算放大器的频率响应特性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210081228.9

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种提高共源运算放大器频率特性的MOS器件制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成栅极结构，所述衬底包括源极结构和漏极结构；以所述栅极结构为掩膜，在栅极结构两侧的衬底内进行轻掺杂，形成源极延伸区和漏极延伸区；在所述衬底上形成侧墙沉积层；采用中性离子对所述侧墙沉积层进行离子注入，所述离子注入方向与垂直于所述衬底方向成一夹角且向源极方向倾斜；对所述侧墙沉积层进行刻蚀，以在所述源极区域上方形成源极侧墙，在所述漏极区域上方形成漏极侧墙，所述源极侧墙的截面宽度小于所述漏极侧墙的截面宽度；进行源漏重掺杂以及退火工艺，

专利地区：上海