多晶薄膜和其制造方法及氧化物超导导体专利登记公告

专利名称：多晶薄膜和其制造方法及氧化物超导导体

摘要：本发明涉及多晶薄膜和其制造方法及氧化物超导导体，其目的在于，提供通过在维持良好的晶体取向性的同时将中间层薄膜化、从而防止由膜的内部应力导致的基板的翘曲的多晶薄膜。本发明的多晶薄膜，其特征在于，在金属基材上形成中间层，所述中间层依次层叠第一层和第二层而成，所述第一层和所述第二层的晶体结构分别为岩盐结构和萤石结构，所述第一层和所述第二层的取向轴相同，均为<100>取向。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210082688.3

专利申请（专利权）人：株式会社藤仓;财团法人国际超电导产业技术研究中心

专利发明（设计）人：饭岛康裕;羽生智

主权项：一种多晶薄膜，其特征在于，在金属基材上形成中间层，所述中间层依次层叠第一层和第二层而成，所述第一层和所述第二层的晶体结构分别为岩盐结构和萤石结构，所述第一层和所述第二层的取向轴相同，均为<100>取向。

专利地区：日本