具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法专利登记公告

专利名称：具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法

摘要：本发明涉及一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜的成份符合化学式Zn1-x-yCrxGayO，其中0?≤x≤0.03，0≤y≤0.03。掺杂Cr和/或镓的ZnO基稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性，而且具有在较大范围内可调的电阻率，以及在较大范围内可调的电子浓度，可为自旋电子器件的研究和应用提供良好的材料。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210185344.5

专利申请（专利权）人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所

专利发明（设计）人：熊泽;刘学超;卓世异;孔海宽;杨建华;施尔畏

主权项：一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜，其成份符合化学式Zn1?x?yCrxGayO，其中0?≤?x?≤?0.03，0?≤?y?≤?0.03。

专利地区：上海