新型ITO过桥一体式电容触摸屏及其制造方法专利登记公告

专利名称：新型ITO过桥一体式电容触摸屏及其制造方法

摘要：本发明公开了一种新型ITO过桥一体式电容触摸屏及其制造方法，所述新型ITO过桥一体式电容触摸屏包括透明基板，依次层叠于透明基板的二氧化硅层、五氧化二铌层、黑色树脂层、ITO过桥电极、第一绝缘层、ITO电极、金属电极和第二绝缘层；所述的二氧化硅层为整面覆盖玻璃，五氧化二铌层为整面覆盖住二氧化硅层；所述的ITO电极包括电容屏驱动和感应电极，具有规则图形结构；电容屏驱动与感应电极在同一层面，相互独立，相互绝缘，垂直设计。本发明通过对电容触摸屏的层叠结构以及架桥导通方式进行合理的设计，有效的提高电容式触摸屏的透过

专利类型：发明专利

专利号：CN201210084785.6

专利申请（专利权）人：深圳市宝明科技股份有限公司

专利发明（设计）人：曹晓星

主权项：一种新型ITO过桥一体式电容触摸屏，其特征是：包括透明基板，依次层叠于透明基板的二氧化硅层、五氧化二铌层、黑色树脂层、ITO过桥电极、第一绝缘层、ITO电极、金属电极和第二绝缘层；所述的ITO电极包括电容屏驱动和感应电极，具有规则图形结构；电容屏驱动与感应电极在同一层面，相互独立，相互绝缘，垂直设计；所述透明基板包括视窗区和非视窗区，黑色树脂层分布在显示屏非视窗区；所述的金属电极线路布线仅在黑色树脂层区域；所述的二氧化硅层厚的度为100～1000埃米，所述的五氧化二铌层的厚度为50～500埃米。

专利地区：广东