双层ITO布线结构专利登记公告

专利名称：双层ITO布线结构

摘要：本发明公开了一种双层ITO布线结构，所述每层ITO上分别设有第一种触控电极和第二种触控电极，所述第一种触控电极包括一体成型的若干个弧形四角星，所述弧形四角星的每条边水平向外延伸形成复数个矩形分支，所述矩形分支的宽度相等，其边缘位于同一垂直线上，若干个弧形四角星通过所述弧形四角星的水平角相连接；所述第二种触控电极包括一主干，所述主干延伸有若干个支干，且所述主干的宽度是所述支干宽度的两倍；所述第一种触控电极和所述第二种触控电极相间交错排列。通过上述方式，本发明显著提高了ITO层的侦测灵敏度和线性度。?

专利类型：发明专利

专利号：CN201210091029.6

专利申请（专利权）人：苏州瀚瑞微电子有限公司

专利发明（设计）人：孟得全

主权项：一种双层ITO布线结构，所述每层ITO上分别设有第一种触控电极和第二种触控电极，其特征在于，所述第一种触控电极包括一体成型的若干个弧形四角星，所述弧形四角星的每条边水平向外延伸形成复数个矩形分支，所述矩形分支的宽度相等，其边缘位于同一垂直线上，若干个弧形四角星通过所述弧形四角星的水平角相连接；所述第二种触控电极包括一主干，所述主干延伸有若干个支干，且所述主干的宽度是所述支干宽度的两倍；所述第一种触控电极和所述第二种触控电极相间交错排列。

专利地区：江苏