一种晶圆级真空封装的IR FPA器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种晶圆级真空封装的IR FPA器件及其制造方法

摘要：本发明公开了一种晶圆级真空封装的IRFPA器件及其制造方法，采用2片晶圆键合的方式来实现红外探测器的制作及实现其晶圆级封装，把CMOSIC与MEMS器件分开制作，既实现与CMOSIC的集成，又增加MEMS红外探测器器件制作的灵活性，又能同时实现晶圆级封装。本发明的优点是：通过在一片晶圆上制作CMOS读出电路和共振吸收结构的反光板，利用另外一片晶圆制造IRFPA的MEMS结构部分，同时利用这片晶圆做IRFPA的红外光窗，既利用共振吸收结构提供了红外IRFPA器件的红外吸收效率，同时实现IRFPA器件的晶圆级

专利类型：发明专利

专利号：CN201210088348.1

专利申请（专利权）人：江苏物联网研究发展中心

专利发明（设计）人：欧文;蒋文静

主权项：?晶圆级真空封装的IR?FPA器件，包括第一片晶圆（101）和第二片晶圆（201），其特征是：所述第一片晶圆（101）为常规的硅片，采用常规IC制作工艺制作出IR?FPA的读出电路，同时以第一片晶圆（101）最上层金属制作出IR?FPA器件所需要的共振吸收的反光板（104）；在第一片晶圆（101）有反光板（104）的一面淀积有介质材料（102），贯穿所述第一片晶圆（101）和介质材料（102）制有TSV结构（103）用于电连接及实现贴片式封装，在TSV结构（103）和介质材料（102）的电连接点制作第一低

专利地区：江苏