薄膜晶体管阵列面板专利登记公告

专利名称：薄膜晶体管阵列面板

摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；定位在基板上的栅线；与栅线交叉的数据线；连接至栅线和数据线的薄膜晶体管；在薄膜晶体管的栅电极与薄膜晶体管的半导体之间的栅绝缘层；连接至薄膜晶体管的像素电极；以及定位在像素电极与薄膜晶体管之间的钝化层，其中，栅绝缘层和钝化层中的至少一个包括氮化硅层，并且氮化硅层包括小于2×1022原子数/cm3或4原子％的氢含量。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210009563.8

专利申请（专利权）人：三星电子株式会社

专利发明（设计）人：俞炯硕;金周汉;李制勋;金圣训;李政奎;郑敞午

主权项：一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；定位在所述基板上的栅线；与所述栅线交叉的数据线；连接至所述栅线和所述数据线的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体；设置在所述薄膜晶体管的栅电极与所述薄膜晶体管的所述半导体之间的栅绝缘层；连接至所述薄膜晶体管的像素电极；以及设置在所述像素电极与所述薄膜晶体管之间的钝化层，其中，所述栅绝缘层和所述钝化层中的至少一个包括氮化硅层，并且所述氮化硅层包括小于2×1022原子数/cm3或4原子％的氢。

专利地区：韩国