一种多比特SONOS闪存单元、阵列及操作方法专利登记公告

专利名称：一种多比特SONOS闪存单元、阵列及操作方法

摘要：本发明公开了一种多比特SONOS闪存单元，P型半导体衬底，其具有深N阱；在深N阱中形成的第一P型注入区和第二P型注入区，所述第一P型注入区和第二P型注入区构成源极区和漏极区；位于所述第一P阱和第二P型注入区之间的衬底上方的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的多晶硅层，其中，所述多晶硅层构成控制栅极，所述栅介质层为ONO结构，自下而上依次包括第一氧化层、氮化层、第二氧化层，所述ONO结构的氮化层中包括第一和第二存储位。本发明还提供了一种多比特SONOS闪存阵列以及一种多比特SONOS闪存阵列

专利类型：发明专利

专利号：CN201210093526.X

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：张博;莘海维

主权项：一种多比特SONOS闪存单元，包括：P型半导体衬底，其具有深N阱；在深N阱中形成的第一P型注入区和第二P型注入区，所述第一P阱和第二P型注入区构成源极区和漏极区；位于所述第一P型注入区和第二P型注入区之间的衬底上方的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的多晶硅层，其中，所述多晶硅层构成控制栅极，所述栅介质层为ONO结构，自下而上依次包括第一氧化层、氮化层、第二氧化层，所述ONO结构的氮化层中包括第一存储位和第二存储位。

专利地区：上海