一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法专利登记公告

专利名称：一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法

摘要：本发明提供的一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，包括提供静态随机存储器衬底，所述衬底上包括依次相邻的第一NMO区域、PMOS区域和第二NMOS区域；通过局部应变技术在第一NMO区域生长一层锗硅虚拟衬底，在锗硅虚拟衬底上外延一层硅薄膜，并完成第一NMO区域NMOS器件的制作；采用传统制作技术完成PMOS区域的PMOS器件和第二NMOS区域NMOS器件的制作。本发明增大了控制管的等效电阻，提高了随机存储器读出冗余度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210090331.X

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供静态随机存储器衬底，所述衬底上包括依次相邻的第一NMOS区域、PMOS区域和第二NMOS区域，所述第一NMOS区域用于制备下拉管，所述PMOS区域用于制备上拉管，所述第二NMOS区域用于制备控制管；步骤2，在第一NMOS区域、PMOS区域和第二NMOS区域之间形成浅槽隔离区；步骤3，通过局部应变技术在第一NMOS区域生长一层锗硅层作为虚拟衬底，在锗硅虚拟衬底上外延一层硅薄膜，并完成第一NMOS区域NMOS器件的制作；步骤4，完成

专利地区：上海