3D芯片TSV互连的内建自测试及内建自修复技术专利登记公告

专利名称：3D芯片TSV互连的内建自测试及内建自修复技术

摘要：本发明涉及一种3D芯片TSV(硅穿孔)互连的内建自测试及内建自修复技术。具体是指在芯片设计阶段，插入相应的内建自测试及内建自修复电路，并设计冗余TSV通道。3D芯片上电复位后(Power-on?Reset)，内建自测试电路即开始工作，对TSV进行分组测试，根据测试结果生成相应的TSV配置信息，然后调用内建自修复电路对TSV映射电路进行配置，同时开始下一组TSV的测试。当完成所有TSV的测试及配置后，电路既可进入正常工作。该技术能解决目前3D芯片中TSV互连测试的难题，并能通过冗余替换策略，提高3D芯片的成

专利类型：发明专利

专利号：CN201210090624.8

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：冯建华;谭晓慧

主权项：一种针对3D芯片TSV互连的内建自测试及内建自修复的技术，包括有内建自测试模块用于对TSV进行测试并生成相应的故障诊断信息，以及内建自修复模块用于对存在故障的TSV进行冗余替换，其特征在于：在芯片上电复位后，内建自测试电路即开始工作，对TSV进行分组测试，并调用内建自修复电路，根据故障信息对TSV映射电路进行正确配置，当完成所有TSV的测试及配置之后，电路既可进入正常工作状态。

专利地区：北京