具有双敏感层结构的平面式甲烷气体传感器及其制造方法专利登记公告

专利名称：具有双敏感层结构的平面式甲烷气体传感器及其制造方法

摘要：具有双敏感层结构的平面式甲烷气体传感器及其制造方法属于气体传感器技术领域。现有甲烷气体传感器难以同时具备高选择性、高灵敏度、快响应恢复和长期稳定性。本发明之甲烷气体传感器甲烷气体敏感层包括纳米纤维敏感层和粒子涂层敏感层，纳米纤维敏感层位于信号电极与粒子涂层敏感层之间；纳米纤维敏感层气敏材料为掺In和Pd的SnO2，In和Pd的掺入量各占In2O3、PdO、SnO2三种氧化物总质量的5～7％，粒子涂层敏感层气敏材料为Co3O4-WO3复合材料。本发明之甲烷气体传感器制造方法在信号电极一侧先制作掺In和Pd的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210091032.8

专利申请（专利权）人：长春理工大学

专利发明（设计）人：梁庆成;赵建勋;高尚;蒋大勇;侯建华;秦杰明

主权项：一种具有双敏感层结构的平面式甲烷气体传感器，在硅衬底两侧绝缘层上分别布有加热电极和信号电极，甲烷气体敏感层位于信号电极上，其特征在于，甲烷气体敏感层包括纳米纤维敏感层和粒子涂层敏感层，纳米纤维敏感层位于信号电极与粒子涂层敏感层之间；纳米纤维敏感层气敏材料为掺In和Pd的SnO2，In和Pd的掺入量各占In2O3、PdO、SnO2三种氧化物总质量的5～7％，粒子涂层敏感层气敏材料为Co3O4?WO3复合材料。

专利地区：吉林