一种溶液法低电压高性能有机薄膜晶体管及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种溶液法低电压高性能有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要：一种溶液法低电压高性能有机薄膜晶体管，其包括：绝缘衬底、栅电极、栅极绝缘层、源电极、漏电极、电极修饰材料和有机半导体层，其中，绝缘衬底位于有机薄膜晶体管的最底层，栅电极和栅极绝缘层自下而上地依次叠覆于该绝缘衬底之上，源电极和漏电极分离地位于栅极绝缘层之上，电极修饰材料分别包覆在该源电极和漏电极的表面上，有机半导体层覆盖在栅极绝缘层和电极修饰材料之上且位于有机薄膜晶体管的最顶层。本发明选择合适的材料体系和工艺，不受限于绝缘层的厚度和介电常数，通过降低器件的亚阈值摆幅来得到低电压(2V)的溶液法有机薄膜晶体管

专利类型：发明专利

专利号：CN201210091404.7

专利申请（专利权）人：上海交通大学

专利发明（设计）人：郭小军;冯林润;唐伟;徐小丽

主权项：一种溶液法低电压高性能有机薄膜晶体管，其特征在于：所述有机薄膜晶体管包括：绝缘衬底(11)、栅电极(12)、栅极绝缘层(13)、源电极(14)、漏电极(15)、电极修饰材料(16)和有机半导体层(17)，其中，绝缘衬底(11)位于有机薄膜晶体管的最底层，栅电极(12)和栅极绝缘层(13)自下而上地依次叠覆于该绝缘衬底(11)之上，源电极(14)和漏电极(15)分离地位于栅极绝缘层(13)之上，电极修饰材料(16)分别包覆在该源电极(14)和漏电极(15)的表面上，有机半导体层(17)覆盖在栅极绝缘层(13

专利地区：上海