一种有机薄膜场效应晶体管的制备方法专利登记公告

专利名称：一种有机薄膜场效应晶体管的制备方法

摘要：本发明公开了一种制备有机薄膜场效应晶体管的方法，将高分子聚合物和有机半导体分子的混合物溶解到有机溶剂中，形成混合溶液；然后通过电纺丝设备将混合溶液喷至在源、漏电极间的沟道中，形成有机半导体纳米纤维膜，作为有机薄膜场效应晶体管的有源层。通过电纺丝技术实现了低成本、大规模纳米尺度高效有机薄膜场效应晶体管的大规模制作。同时，该制备方法要求的环境很宽松，不需要在手套箱等无水无氧环境下实施，简化了工艺，且制得的有机电子器件具有很强的抗水氧能力，很好的改善了有源层膜的制备方法来获得高性能的场效应晶体管。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210102940.2

专利申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

专利发明（设计）人：潘革波;肖燕

主权项：一种制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，包括：将高分子聚合物与有机半导体分子溶解到有机溶剂中，制备高分子聚合物与有机半导体分子的混合溶液；以及，通过电纺丝设备利用该混合溶液制备有机薄膜场效应晶体管的有源层，形成有机半导体纳米纤维膜。

专利地区：江苏