一种顶层金属的形成方法专利登记公告

专利名称：一种顶层金属的形成方法

摘要：本发明公开了一种顶层金属的形成方法，在具有钨通道的金属绝缘层上形成一层阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，形成金属层，使得台阶差变小，从而使得后续形成的光阻能够完全覆盖器件表面，解决了传统工艺和传统光阻无法实现的问题。另一方面，基于第一区金属层的表面低于第二区金属层的表面进行光刻对准，使得对准过程不会由于金属纹路和厚度增加所导致的透光性变差而受到影响，避免了质量上可能出现的缺陷。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210093520.2

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：钟政;顾以理

主权项：一种顶层金属的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有金属连线区；在所述衬底上形成阻挡层，所述阻挡层暴露出所述金属连线区；形成金属层，所述金属层包括覆盖所述金属连线区的第一区金属层，及覆盖所述阻挡层的第二区金属层，其中，第一区金属层的表面低于第二区金属层的表面；形成第一光阻层，所述第一光阻层覆盖所述第一区金属层及第二区金属层；基于第一区金属层的表面低于第二区金属层的表面进行光刻对准，对所述第一光阻层进行光刻；以光刻后的第一光阻层为掩膜，刻蚀第二区金属层，形成顶层金属。

专利地区：上海