一种半导体器件低温固态键合的方法专利登记公告

专利名称：一种半导体器件低温固态键合的方法

摘要：本发明的半导体器件低温固态键合的方法，包括以下步骤：1）选择具有相互匹配的电互连焊盘的至少两个待键合元件；2）在一待键合元件的多个焊盘上形成铜微针锥群；3）在另一待键合元件的多个焊盘上形成至少表面设有低硬度第二金属层的凸点；4）使所述凸点与所述铜微针锥群接触，将所述凸点与所述铜微针锥群的接触部分加热到第一温度，施加键合压力使所述凸点与所述铜微针锥群电互连键合。与现有技术相比，本发明的工艺过程不需要将温度加热到焊料熔点以上以使焊料熔化，可避免对器件产生热损伤，且固态键合能够提高互连密度和产品可靠性，界面反应

专利类型：发明专利

专利号：CN201210086084.6

专利申请（专利权）人：上海交通大学

专利发明（设计）人：陆钦;李明;胡安民;章文婧;陈卓

主权项：一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）选择具有相互匹配的电互连焊盘的至少两个待键合元件；2）在一待键合元件的多个焊盘上形成铜微针锥群；3）在另一待键合元件的多个焊盘上形成至少表面设有低硬度第二金属层的凸点；4）将所述凸点与所述铜微针锥群匹配，并使所述凸点与所述铜微针锥群接触，将所述凸点与所述铜微针锥群的接触部分加热到第一温度，施加键合压力使所述凸点与所述铜微针锥群电互连键合。

专利地区：上海