通过测量隧穿电场来快速评价SONOS可靠性的方法专利登记公告

专利名称：通过测量隧穿电场来快速评价SONOS可靠性的方法

摘要：本发明公开了一种通过测量隧穿电场来快速评价SONOS可靠性的方法，包括步骤：测量SONOS的操作电压窗口和隧穿电场窗口的相关性参数；在待测SONOS完成ONO成膜后，测量其隧穿电场窗口；根据待测SONOS的隧穿电场窗口和相关性参数，推导出待测SONOS的操作电压窗口；根据待测SONOS的操作电压窗口，评价该待测SONOS的数据保持力特性。该方法利用SONOS器件的电子/空穴逃逸机理与隧穿电场的测量方法相对应的原理，通过测量ONO膜的正、负隧穿电场，判断SONOS器件的数据保持力特性，从而简化了可靠性评价的

专利类型：发明专利

专利号：CN201110026325.3

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：缪燕;孙勤;姚毅

主权项：一种通过测量隧穿电场来快速评价SONOS可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)测量SONOS的操作电压窗口与隧穿电场窗口的相关性参数；2)在待测SONOS完成ONO成膜后，测量该ONO膜的正、负隧穿电场，并计算出隧穿电场窗口；3)根据步骤2)的隧穿电场窗口和所述相关性参数，推导出该待测SONOS的操作电压窗口；4)根据步骤3)的操作电压窗口，评价该待测SONOS的数据保持力特性。

专利地区：上海