一种透明阻变存储器专利登记公告

专利名称：一种透明阻变存储器

摘要：本发明公开的透明阻变存储器，自下而上依次有透明衬底、下电极、阻变存储层和上电极，下电极连接引线，上电极与导线相连；所述的上电极和下电极均为铝掺杂氧化锌薄膜或镓掺杂氧化锌薄膜；所述的阻变存储层为镁掺杂氧化锌薄膜或铍掺杂氧化锌薄膜。本发明通过采用掺镁（或铍）的氧化锌薄膜作为阻变存储器的存储单元，可以获得良好的电阻转变及记忆特性。本发明的阻变存储器具有透光性好、存储密度高和稳定性好等优点，具有广阔的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210094636.8

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：叶志镇;吴科伟;卢洋藩;黄靖云;汪雷

主权项：一种透明阻变存储器，其特征在于：自下而上依次有透明衬底（1）、下电极（2）、阻变存储层（3）和上电极（4），下电极（2）连接引线（5），上电极（4）与导线（6）相连；所述的上电极（4）和下电极（2）均为铝掺杂氧化锌薄膜或镓掺杂氧化锌薄膜；所述的阻变存储层（3）为镁掺杂氧化锌薄膜或铍掺杂氧化锌薄膜。

专利地区：浙江