薄膜晶体管专利登记公告

专利名称：薄膜晶体管

摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，薄膜晶体管包括基板、栅极、栅绝缘层、主动层、源极、漏极，栅极设置于基板上，栅绝缘层覆盖栅极及基板，主动层设置于该栅绝缘层上，并位于栅极上方，源极和漏极分别设置于主动层上，且源极与源极相对设置；其中，栅绝缘层包括设置于栅极及基板上的第一栅绝缘层、在第一栅绝缘层之上的第二栅绝缘层，且第一栅绝缘层的膜质比第二栅绝缘层的膜质致密，因而，即使在切割或者制造过程中产生了静电，本发明的栅极与源极、漏极之间也不容易发生静电击穿的现象。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210102931.3

专利申请（专利权）人：深超光电(深圳)有限公司

专利发明（设计）人：许民庆;吴钊鹏;黎昔耀;曹岩

主权项：一薄膜晶体管，包括：一基板；一栅极，设置于该基板上；一栅绝缘层，覆盖该栅极及该基板；一主动层，设置于该栅绝缘层上，并位于该栅极上方；一源极，设置于该主动层上；一漏极，设置于该主动层上，并与该源极相对设置；其中，该栅绝缘层包括设置于栅极及该基板上的第一栅绝缘层、在该第一栅绝缘层之上的第二栅绝缘层，且该第一栅绝缘层的膜质比该第二栅绝缘层的膜质致密。

专利地区：广东