一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法专利登记公告

专利名称：一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法

摘要：本发明提供了一种制备氧化锌薄膜晶体管的方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法核心在于制备氧化锌沟道层后进行退火，退火工艺具体为：放入真空腔中，对真空腔进行抽真空，真空度在3×10-3Pa至4×10-3Pa之间开始退火，退火温度为250℃至300℃之间，退火时间为5至10分钟，退火结束后，使真空腔冷却至室温，然后在氧化锌薄膜沟道层上生长源端电极、漏端电极。本发明可以较好的满足现代利用柔性及玻璃衬底制备氧化锌薄膜晶体管器件的低温要求。且实验条件更加简单，实验过程更加安全，降低了试验成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210156669.0

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：孙雷;李咏奇;张盛东;韩德栋;王漪

主权项：一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法，其步骤包括：1）在重掺杂硅上生长一层栅绝缘介质层；2）在栅绝缘介质层上生长一层氧化锌薄膜作为沟道层，并进行退火，退火工艺为：2.1）放入真空腔中，对真空腔进行抽真空，真空度在3×10?3Pa至4×10?3Pa之间；2.2）进行退火，退火温度为250℃至300℃之间，退火时间为5至10分钟；2.3）冷却至室温后取出；3）在氧化锌薄膜层上生长源端电极和漏端电极。

专利地区：北京