阵列基板及多晶硅层的制作方法专利登记公告

专利名称：阵列基板及多晶硅层的制作方法

摘要：本发明公开一种阵列基板及多晶硅层的制作方法。在可挠基板上形成第一缓冲层。在第一缓冲层上形成第一阻挡层。在第一阻挡层上形成第二缓冲层。在第二缓冲层上形成第二阻挡层。在第二阻挡层上形成非晶硅层。以激光将非晶硅层转变成多晶硅层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210156748.1

专利申请（专利权）人：友达光电股份有限公司

专利发明（设计）人：刘展睿;李泓纬;陈重嘉;方俊雄

主权项：一种阵列基板，包括：可挠基板；第一缓冲层，配置于该可挠基板上；第一阻挡层，配置于该第一缓冲层上；第二缓冲层，配置于该第一阻挡层上；第二阻挡层，配置于该第二缓冲层上；以及薄膜晶体管，配置于该第二阻挡层上，其中该薄膜晶体管包括一多晶硅层。

专利地区：台湾