薄膜LED芯片器件及其制造方法及应用专利登记公告

专利名称：薄膜LED芯片器件及其制造方法及应用

摘要：本发明提供一种薄膜LED芯片器件包括：设有蚀刻凹槽的GaN基外延薄膜基层；该GaN基外延薄膜基层的P型半导体层的表面附着金属反射层；该金属反射层与GaN基外延薄膜基层上沉积有钝化膜，形成GaN基外延薄膜；位于金属反射层表面的钝化膜与蚀刻凹槽底面的钝化膜各设有镂空区域；P极多层金属粘合层与N极多层金属粘合层各设于相应的镂空区域；该P极多层金属粘合层与N极多层金属粘合层上分别设有P极导电支撑厚金属层与N极导电支撑厚金属层；固定膜，其包覆于GaN基外延薄膜上。本发明还提供薄膜LED芯片器件的制造方法及应用。本发

专利类型：发明专利

专利号：CN201210103954.6

专利申请（专利权）人：大连德豪光电科技有限公司

专利发明（设计）人：王冬雷;林惠雄

主权项：一种薄膜LED芯片器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a、在衬底上依次生长N型半导体层、活性层、P型半导体层，以此组成GaN基外延薄膜基层；b、蚀刻凹槽，该蚀刻凹槽沿P型半导体层的表面延伸至N型半导体层，使该N型半导体层外露；c、在P型半导体层的表面附着一与其欧姆接触的金属反射层；d、蚀刻划片凹槽，该划片凹槽沿金属反射层的表面延伸至衬底与N型半导体层的结合面，将整个GaN基外延薄膜基层分割为若干单元；e、沿金属反射层与GaN基外延薄膜外露的各表面与各侧面沉积一绝缘的钝化膜，形成GaN基外延薄膜；f、局

专利地区：辽宁