一种蓝宝石纳米孔状图形衬底的制备方法专利登记公告

专利名称：一种蓝宝石纳米孔状图形衬底的制备方法

摘要：一种蓝宝石纳米孔状图形衬底的制备方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅膜；在二氧化硅膜上，排布一单层紧密排列的自组装球；加热；刻蚀聚苯乙烯球，经过刻蚀后，聚苯乙烯球间距变大，球半径减小；再加热；在自组装球表面、间隙及二氧化硅膜的表面蒸镀金属；采用甲苯超声方法，去除自组装球表面的金属；高温处理，使自组装球气化，使保留的金属形成网孔状金属掩膜；以网孔状金属为掩膜，用F基等离子体ICP的方法，刻蚀二氧化硅膜；以网孔状金属为掩膜，用Cl基等离子体刻蚀方法，刻蚀蓝宝石衬底，或者用硫酸和磷酸的混合液湿法刻蚀得到纳米孔

专利类型：发明专利

专利号：CN201210174234.9

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：王家鑫;吴奎;曾一平

主权项：一种蓝宝石纳米孔状图形衬底的制备方法，包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；2)在二氧化硅膜上，排布一单层紧密排列的自组装球；3)加热，使自组装球与二氧化硅膜结合牢固；4)采用ICP方法，刻蚀聚苯乙烯球，经过刻蚀后，聚苯乙烯球间距变大，球半径减小；5)再加热，使自组装球在二氧化硅膜上有稍微塌陷；6)在自组装球表面、间隙及二氧化硅膜的表面蒸镀金属；7)采用甲苯超声方法，去除自组装球表面的金属；8)高温处理，使自组装球气化，使保留的金属形成网孔状金属掩膜；9)以网孔状金属为掩膜，用F基等离子体I

专利地区：北京