一种用于制造碳化硅器件的高温退火方法专利登记公告

专利名称：一种用于制造碳化硅器件的高温退火方法

摘要：本发明是一种用于制造碳化硅器件的高温退火方法，包括以下步骤：1）使用酸性溶液清洗经过离子注入的SiC晶片；2）在SiC晶片上涂覆一层有机化合物作为保护层；3）将SiC晶片放入高温退火炉，充入氩气作为保护气体；4）将SiC晶片加热到第一温度，进行保护层碳化；5）将SiC晶片加热到第二温度，进行高温退火；6）降温阶段。优点：采用碳化后的光刻胶作为高温退火时的保护层，保护层的制备不需要使用额外的设备，在高温炉内就可以完成，工艺简单，成本低；保护气体采用氩气，设备不需要尾气处理系统；改进后的退火条件，能够大幅缩短

专利类型：发明专利

专利号：CN201210104300.5

专利申请（专利权）人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

专利发明（设计）人：李理;柏松;陈刚

主权项：一种用于制造碳化硅器件的高温退火方法，其特征是该方法包括如下步骤：1）使用酸性溶液清洗经过离子注入的SiC晶片；?2）在SiC晶片上涂覆一层有机化合物作为保护层；?3）将SiC晶片放入高温退火炉，充入氩气作为保护气体；?4）将高温退火炉气压设为第一气压，将SiC晶片作第一次升温，加热到第一温度，保持温度进行保护层碳化；5）将高温退火炉气压设为第二气压，将SiC晶片作第二次升温，由第一温度升温加热到第二温度，保持温度进行高温退火；6）将高温退火炉气压设为第三气压，将SiC晶片由第二温度降温到室温。

专利地区：江苏