提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法专利登记公告

专利名称：提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法

摘要：本发明提供了提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其包括：叠层形成步骤，用于在包含PMOS和NMOS的半导体硅片上依次形成第一二氧化硅层、含氢氮化硅层和第二二氧化硅层；第二二氧化硅层刻蚀步骤，用于对第二二氧化硅层进行刻蚀从而去除NMOS区域上的第二二氧化硅层，并留下PMOS区域上的第二二氧化硅层；辐射步骤，用于利用紫外光对第二二氧化硅层刻蚀步骤之后得到的结构进行辐射；以及第二二氧化硅层去除步骤，用于去除PMOS区域上的剩余第二二氧化硅层。根据本发明，通过使用紫外光对硅片的NMOS区域的低应力氮化硅进

专利类型：发明专利

专利号：CN201210169475.4

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：周军

主权项：一种提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其特征在于包括：叠层形成步骤，用于在包含PMOS和NMOS的半导体硅片上依次形成第一二氧化硅层、含氢氮化硅层和第二二氧化硅层；第二二氧化硅层刻蚀步骤，用于对所述第二二氧化硅层进行刻蚀从而去除所述NMOS区域上的第二二氧化硅层，并留下所述PMOS区域上的第二二氧化硅层；辐射步骤，用于利用紫外光对所述第二二氧化硅层刻蚀步骤之后得到的结构进行辐射；以及第二二氧化硅层去除步骤用于去除所述PMOS区域上的剩余第二二氧化硅层。

专利地区：上海