一种防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法专利登记公告

专利名称：一种防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法

摘要：一种防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法。涉及的是一种应用于OJ产品碱洗前晶粒表面的处理。提供一种可控制性好、工艺简单，能有效防止腐蚀现象发生的防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法。按以下步骤进行：1）、用去离子水配制KOH溶液，溶液质量比为去离子水：KOH=10：1；2）、将配置的碱溶液加热至50-110℃，保温；3）、将所述芯片置于恒温槽中，芯片表面析出气泡，反应1-20分钟后气泡变少后取出晶片用清水冲洗、晾干；4）、对芯片的顶面和底面镀覆镍金层；5）、碱洗，完毕。本发明大大降低晶粒在后续碱洗制程中Si与

专利类型：发明专利

专利号：CN201210180846.9

专利申请（专利权）人：扬州杰利半导体有限公司

专利发明（设计）人：裘立强;王毅;游佩武

主权项：一种防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法，其特征在于，按以下步骤进行：1）、用去离子水配制KOH溶液，溶液质量比为?去离子水：KOH=10：1?10；2）、将配置的碱溶液加热至50?110℃，保温；3）、将所述芯片置于恒温槽中，芯片表面析出气泡，反应?1?20分钟后气泡变少后取出晶片用清水冲洗、晾干；4）、对芯片的顶面和底面镀覆镍金层；5）、碱洗，完毕。

专利地区：江苏