湿法腐蚀NiCrSi膜的方法专利登记公告

专利名称：湿法腐蚀NiCrSi膜的方法

摘要：本发明涉及一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法。本发明方法由于采用了单独用水枪近距离对硅片双面冲洗的步骤，有效解决了现有常规腐蚀方法中其硅片表面硫酸铈难以去除的问题；由于湿法腐蚀NiCrSi后生成物硫酸铈不溶于水，不适合常规腐蚀方法的一次腐蚀多个硅片，只能适合本发明的单片逐一腐蚀，因此本发明方法在原材料成本控制上优于常规腐蚀方法。本发明方法通过采用固定支架的培养皿，有效解决了常规方法的操作不便问题；通过采用单独放置硅片的带提手的工夹具，有效解决了常规腐蚀方法的过腐蚀问题。本发明方法在腐蚀NiCrSi膜后，硅片

专利类型：发明专利

专利号：CN201210153851.0

专利申请（专利权）人：中国电子科技集团公司第二十四研究所

专利发明（设计）人：王大平;梁涛;周世远;张正元;曹阳

主权项：一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法，包括以下几个步骤：1）制备带NiCrSi膜腐蚀窗口的硅片；2）配制腐蚀液；3)对所述腐蚀窗口上的NiCrSi膜进行腐蚀；4)对腐蚀后的硅片进行正反面的水枪近距离冲水处理，再在常规冲水槽中进行远距离冲水处理；5)对腐蚀后的硅片用发烟硝酸进行清洗处理。

专利地区：重庆