一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法专利登记公告

专利名称：一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法

摘要：本发明介绍了一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法，包括：首先提供一GaAs晶片作为衬底，并对其进行清洗，将处理好的GaAs衬底晶片放入ALD反应腔；然后利用等离子体对GaAs衬底进行等离子体原位预处理，紧接着沉积高K栅介质薄膜；最后采用氧等离子体对高K栅介质薄膜进行原位后处理。本发明通过在沉积高K栅介质薄膜之前利用等离子体原位处理对GaAs衬底进行钝化，改善了高K栅介质与GaAs衬底之间的界面特性，降低了费米能级钉扎效应的影响，并且在高K栅介质薄膜形成后利用氧等离子体原位后处理提高了高K薄膜

专利类型：发明专利

专利号：CN201210149093.5

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：程新红;贾婷婷;曹铎;王中健;徐大伟;夏超;宋朝瑞;俞跃辉

主权项：一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一单晶GaAs晶片作为衬底，并对其进行清洗；2）将清洗过的GaAs晶片放入等离子体增强原子层沉积的反应腔内，并以Ar气作为载气，以NH3或N2作为反应气体，利用等离子体工艺对GaAs衬底表面进行原位氮化处理；3）利用原子层沉积工艺在所述GaAs衬底上表面沉积Hf基高K栅介质薄膜；4）利用氧等离子体工艺对所述Hf基高K栅介质薄膜进行原位后处理；5）将形成的所述Hf基高K栅介质薄膜的样品置入快速退火炉中进行N2气氛退火处

专利地区：上海