一种无定形碳牺牲栅极结构的浅结和侧墙的制备方法专利登记公告

专利名称：一种无定形碳牺牲栅极结构的浅结和侧墙的制备方法

摘要：本发明提供一种无定形碳牺牲栅极结构的浅结和侧墙的制备方法，先在具有栅极结构的硅衬底上淀积形成第一侧墙层，后直接进行浅结离子注入工序。再在，在第一侧墙层上涂覆一层光刻胶并进行光刻胶图案化，暴露出N阱区或P阱区上方的栅极结构，对整个器件进行离子轻掺杂。去除多余的光刻胶和第一侧墙层，在硅衬底表面和栅极上淀积第二侧墙层，并在第二侧墙层上涂覆一层光刻胶。对光刻胶层进行图案化，暴露出另一侧栅极，对整个器件进行离子掺杂。去除多余的光刻胶和第二侧墙层，在硅衬底表面和栅极上依次淀积第三侧墙层和氮化硅层，去除多余第三侧墙层和

专利类型：发明专利

专利号：CN201210109582.8

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：郑春生

主权项：一种无定形碳牺牲栅极结构的浅结和侧墙的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在具有栅极结构的硅衬底上淀积形成第一侧墙层，之后直接进行浅结离子注入工序，所述硅衬底的N?阱区和P?阱区上分别设有栅极，所述栅极为无定形碳材料；步骤2，在第一侧墙层上涂覆一层光刻胶，并进行光刻胶图案化，暴露出N阱区或P?阱区上方的栅极结构，对整个器件进行离子轻掺杂，所述离子与暴露出的阱区相反；步骤3，去除多余的光刻胶和第一侧墙层，在硅衬底表面和栅极上淀积第二侧墙层，并在第二侧墙层上涂覆一层光刻胶；步骤4，对光刻胶层进行图案化

专利地区：上海