一种成型无定形碳牺牲栅极的基体的制备方法专利登记公告

专利名称：一种成型无定形碳牺牲栅极的基体的制备方法

摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种成型无定形碳牺牲栅极的基体的制备方法。本发明提出一种成型无定形碳牺牲栅极的基体的制备方法，通过采用高温氧化或高温炉管工艺形成的第一氧化物层和单层无定形碳形成的层叠结构，有助于提高后续无定形碳层和基底的附着，并采用较大关键尺寸进行曝光和干法刻蚀，最后进行切割成型工艺，能有效的降低干法刻蚀对活性区造成的凹陷，从而增大产品的良率，节约工艺成本，且工艺简单易操作。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210109583.2

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：郑春生

主权项：一种成型无定形碳牺牲栅极的基体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一半导体结构的上表面反应生成缓冲氧化物层；步骤S2：沉积无定形碳层覆盖所述缓冲氧化物层的上表面；步骤S3：沉积介电质抗反射层覆盖所述无定形碳层的上表面后，旋涂光刻胶覆盖所述介质抗反射层的上表面；步骤S4：采用较大关键尺寸进行曝光、显影后，去除多余光刻胶形成光阻，并以所述光阻为掩膜刻蚀所述介质抗反射层至所述无定形碳层；步骤S5：以剩余介质抗反射层为掩膜部分刻蚀所述无定形碳层，所剩余介质抗反射层被消耗完，形成剩余无定形碳层；步骤S

专利地区：上海