包括多个谐振结构的装置和带有正交抑制的显微加工的传感器专利登记公告

专利名称：包括多个谐振结构的装置和带有正交抑制的显微加工的传感器

摘要：本发明涉及包括多个谐振结构的装置和带有正交抑制的显微加工的传感器。此传感器包括正交抑制电极和邻近正交抑制电极定位的、能与正交抑制电极基本平行移动的谐振器质量，该谐振器质量包括槽口，此槽口邻近正交抑制电极的一部分而形成，使得直接邻近正交抑制电极的谐振器质量的长度随着谐振器质量相对于正交抑制电极移动而变化，其中该正交抑制电极能对谐振器质量产生横向力，该横向力根据直接邻近正交抑制电极的谐振器质量的长度而变化。上述谐振结构包括通过第一挠性件连接的第一对质量和通过第二挠性件连接的第二对质量，每个质量均由悬挂挠性件悬

专利类型：发明专利

专利号：CN201210111352.5

专利申请（专利权）人：美国亚德诺半导体公司

专利发明（设计）人：约翰·A·吉恩

主权项：一种带有正交抑制的显微加工的传感器，包括：正交抑制电极；和邻近所述正交抑制电极定位的谐振器质量；所述谐振器质量能够与所述正交抑制电极基本平行地移动，所述谐振器质量包括槽口，所述槽口邻近所述正交抑制电极的一部分而形成，使得直接邻近所述正交抑制电极的所述谐振器质量的长度随着所述谐振器质量相对于所述正交抑制电极移动而变化，其中，所述正交抑制电极能够对所述谐振器质量产生横向力，所述横向力根据直接邻近所述正交抑制电极的所述谐振器质量的长度而变化。

专利地区：美国