一种发光二极管及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种发光二极管及其制备方法

摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制备方法。本发明的发光二极管包括：在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、n型GaN层、n型AlGaN层、量子阱、p型AlGaN层，p型GaN层、n型GaN薄层、绒面ZnO基电流扩展层、电极金属和钝化层。其制备方法是：1)用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上沉积缓冲层、n型GaN层、n型AlGaN层，量子阱、p型AlGaN层、p型GaN层、n型GaN薄层，得到外延片；2)外延片清洗，沉积ZnO基电流扩展层；3)退火处理，湿法腐蚀ZnO层形成绒面结构；4)光刻，刻蚀台阶；5)沉积电极金

专利类型：发明专利

专利号：CN201210114856.2

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：吕建国;陈丹;叶志镇

主权项：一种发光二极管，其特征在于包括：——蓝宝石衬底(1)；——缓冲层(2)设置于所述的蓝宝石衬底(1)上；——n型GaN层(3)设置于所述的缓冲层(2)上；——n型AlGaN层(4)设置于所述的n型GaN层(3)上；——量子阱(5)设置于所述的n型AlGaN层(4)上；——p型AlGaN层(6)设置于所述的量子阱(5)上；——p型GaN层(7)设置于所述的p型AlGaN层(6)上；——n型GaN薄层(8)设置于所述的p型GaN层(7)上；——绒面ZnO基电流扩展层(10)设置于所述的n型GaN薄层(8)上；—

专利地区：浙江