一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管专利登记公告

专利名称：一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管

摘要：本发明公开一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管，包括一衬底，衬底下表面连接第一电极，沿衬底的上表面依次生长有布拉格反射层、第一P型限制层、第一有源层、第一N型限制层、第一N型电流扩展层、腐蚀截止层、第二N型电流扩展层、第二N型限制层、第二有源层、第二P型限制层、第二P型电流扩展层，第二P型电流扩展层的上表面连接第二电极，第二N型电流扩展层的侧面连接第三电极，第一电极和第二电极的极性相同，第三电极与第一电极和第二电极的极性相反；本发明能同时或分别发出两种不同颜色的光，降低了需要变色或配色的发光二

专利类型：发明专利

专利号：CN201210165619.9

专利申请（专利权）人：厦门乾照光电股份有限公司

专利发明（设计）人：林志伟;蔡建九;陈凯轩;张永;单智发;林志园

主权项：一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管，包括一衬底，衬底下表面连接第一电极，其特征在于：沿衬底的上表面依次生长有布拉格反射层、第一P型限制层、第一有源层、第一N型限制层、第一N型电流扩展层、腐蚀截止层、第二N型电流扩展层、第二N型限制层、第二有源层、第二P型限制层、第二P型电流扩展层，第二P型电流扩展层的上表面连接第二电极，第二N型电流扩展层的侧面连接第三电极，第一电极和第二电极的极性相同，第三电极与第一电极和第二电极的极性相反。

专利地区：福建