光电子半导体芯片专利登记公告

专利名称：光电子半导体芯片

摘要：本申请涉及一种光电子半导体芯片(20)，在半导体芯片(20)的生长方向(c)上具有以下顺序的区域：用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)；有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六方结构的化合物半导体；以及用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)，其中有源区(2)包括为产生辐射而设置的量子阱结构(8)；并且朝着生长方向(c)看，在为产生辐射而设置的量子阱结构(8)之前设置有至少一个并不是为产生辐射而设置的量子阱结构(9)。此外，本申请还涉及一种具有这种半导体芯片(20)的器件和一种用于制造这种半导

专利类型：发明专利

专利号：CN201210107419.8

专利申请（专利权）人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

专利发明（设计）人：亚德里恩·阿夫拉梅斯库;福尔克尔·黑勒;卢茨·赫佩尔;马蒂亚斯·彼得;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;乌韦·施特劳斯

主权项：一种光电子半导体芯片，朝着半导体芯片(20)的生长方向(c)具有以下顺序的区域：?用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)，?有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六方结构的化合物半导体，以及?用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)，其中有源区(2)包括为产生辐射而设置的量子阱结构(8)；并且朝着生长方向(c)看，在为产生辐射而设置的量子阱结构(8)之前设置有至少一个并不是为产生辐射而设置的量子阱结构(9)。

专利地区：德国