共振腔发光二极体的制造方法专利登记公告

专利名称：共振腔发光二极体的制造方法

摘要：本发明为一种共振腔发光二极体的制造方法，是利用改变共振腔发光二极体的制造程序，其晶粒制程中上布拉格反射镜层的制作是在晶粒固晶、打线键合等封装制程步骤完成后再进行，因此制程上可以解决传统以微影术在出光区域定义上反射镜时易发生的对位误差，进而改善共振腔发光二极体的操作特性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210168938.5

专利申请（专利权）人：中华电信股份有限公司

专利发明（设计）人：蔡家龙;柯孙坚;徐仲凡

主权项：一种共振腔发光二极体的制造方法，该方法包含下列步骤：(a)于磊晶基板上形成主动区，该主动区具有N型披覆层、P型披覆层及形成于该N型、P型披覆层之间的发光层，由上而下依序为向上磊晶成长该N型披覆层、发光层及该P型披覆层，以形成该主动区；(b)于该P型披覆层及该N型披覆层的部分区域，分别对应形成与该P型披覆层电性相连结的P型欧姆电极，及与该N型披覆层电性相连结的N型欧姆电极；(c)于该磊晶基板背面磨薄并切割成为晶粒；(d)将该些晶粒固定于封装座上，并用导线将该些晶粒的N型欧姆电极与P型欧姆电极，分别连结于封装

专利地区：台湾