多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法专利登记公告

专利名称：多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

摘要：本发明公开一种多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，在硅衬底上进行，包括循环执行如下步骤：步骤1，沉淀第一低k值介质层；步骤2，光刻并刻蚀去除部分所述第一低k值介质层形成电容槽，所述电容槽底部接触所述第一低k值介质层底部；步骤3，在所述电容槽中沉淀高K值氧化硅；步骤4，化学机械研磨所述第一低k值介质层和所述高K值氧化硅的上表面；步骤5，沉积第二低k值介质层覆盖在所述第一低k值介质层和所述高K值氧化硅上；步骤6，在所述第二低k值介质层上制作金属槽和通孔，所述通孔底部接触所述高K值氧化硅上表面；步骤7，在所

专利类型：发明专利

专利号：CN201210116159.0

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：毛智彪;胡友存;徐强

主权项：一种多层金属?氧化硅?金属电容器的制作方法，在硅衬底上进行，其特征在于，包括循环执行如下步骤：步骤1，沉淀第一低k值介质层；步骤2，光刻并刻蚀去除部分所述第一低k值介质层形成电容槽，所述电容槽底部接触所述第一低k值介质层底部；步骤3，在所述电容槽中沉淀高K值氧化硅；步骤4，化学机械研磨所述第一低k值介质层和所述高K值氧化硅的上表面；步骤5，沉积第二低k值介质层覆盖在所述第一低k值介质层和所述高K值氧化硅上；步骤6，在所述第二低k值介质层上制作金属槽和通孔，所述通孔底部接触所述高K值氧化硅上表面；步骤7，在

专利地区：上海