对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法专利登记公告

专利名称：对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法

摘要：本发明公开了一种对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法，包括步骤：提取标准单元的位置信息；对标准单元位置进行排序；判断相邻的标准单元是否存在间距；若存在间距，则在该相邻的两个标准单元相对的边界处分别插入冗余多晶硅条阵列；若不存在间距，则该相邻的两个标准单元的边界间共享地插入冗余多晶硅条阵列；以及，对插入冗余多晶硅条阵列后的版图进行版图设计规则和版图与原理图的一致性检查。本发明的方法基于现有的ASIC设计流程，对已完成设计的版图进行优化，不需要修改标准单元库，因此操作简单且与现有ASIC设计流程相兼容；本

专利类型：发明专利

专利号：CN201210116937.6

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：韩晓霞

主权项：一种对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法，其特征在于，包括步骤：(1)提取标准单元的位置信息；所述的标准单元的位置信息即标准单元在版图中的相对位置坐标X和Y；(2)基于提取的位置信息，对标准单元位置进行排序；(3)判断相邻的标准单元是否存在间距；(4)若存在间距，则在该相邻的两个标准单元相对的边界处分别插入冗余多晶硅条阵列；若不存在间距，则该相邻的两个标准单元的边界间共享地插入冗余多晶硅条阵列；(5)对插入冗余多晶硅条阵列后的版图进行版图设计规则和版图与原理图的一致性检查。

专利地区：浙江